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2 条型号记录

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ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80 at 5 mA, 10 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors