NSVMMUN2136LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。
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NSVMMUN2136LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 80 at 5 mA, 10 V、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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