NSVFSB560ALT1G
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40 at 2 A, 2 V、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。
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该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40 at 2 A, 2 V、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。
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