NSVF5501SKT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5.5 GHz、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、连续集电极电流 70 mA，采用 SOT-623-3 封装。
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NSVF5501SKT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5.5 GHz、技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-623-3 封装。
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