NSVF5488SKT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-623-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NSVF5490SKT3G | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NSVF5488SKT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-623-3 封装。
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