NSVF4015SG4T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-82FL-4 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NSVF4015SG4T1G | onsemi |
| 2026-07-27 | 查看资料 |
| NSVF3007SG3T1G | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| NSVF4017SG4T1G | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NSVF4015SG4T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 10 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SC-82FL-4 封装。
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