NSS60101DMTTBGON Semiconductor该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.000307 oz。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料
NSS60101DMTTBGonsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料