NSM80100MT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、连续集电极电流 - 500 mA、最小直流电流增益（hfe） 120、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 SC-74-6 封装。
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