NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 Digital Transistor、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1,采用 SOT-963-6 封装。
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ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 Digital Transistor、配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1,采用 SOT-963-6 封装。
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该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 4.7 kOhms、典型电阻比 0.1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SOT-963-6 封装。
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