NRVB10100MFST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 950 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A、反向电流（Ir） 13 mA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers搜索结果
原厂资料
4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NRVTS10100EMFST1G | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVTS10100MFST1G | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVTS10100MFST3G | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVB10100MFST3G | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
NRVB10100MFST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 950 mV，采用 SO-8FL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers