NPT1012B
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管搜索结果
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V。
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