NJW0281G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-3P-3 封装。
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NJW0281G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 15 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V，采用 TO-3P-3 封装。
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