NJVMJD32CT4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大集电极截止电流 50 uA，采用 DPAK 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SJD32CT4G | onsemi |
| 2021-10-06 | 查看资料 |
| SJD32CT4G-VF01 | onsemi |
| 2021-10-06 | 查看资料 |
| NJVMJD32CT4G-VF01 | onsemi |
| 2021-10-01 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NJVMJD32CT4G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
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