NJVMJD3055T4GON Semiconductor该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.012381 oz。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料
NJVMJD3055T4Gonsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 70 V。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料