NGTB35N65FL2WG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 TO-247-3 封装。
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NGTB35N65FL2WG
onsemi
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 TO-247-3 封装。
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