NFAM5065L4BL
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、原产国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs技术资料参考
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主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、原产国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
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