NFAM5065L4BBA
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Intelligent Power Module、集电极-发射极饱和电压 1.65 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、组装国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs技术资料参考
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主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Intelligent Power Module、集电极-发射极饱和电压 1.65 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、组装国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
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