NCV8403ASTT1G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率(Pd) 1.13 W、认证等级 AEC-Q100、漏源导通电阻(Rds On) 53 mOhms,采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率(Pd) 1.13 W、认证等级 AEC-Q100、漏源导通电阻(Rds On) 53 mOhms,采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Driversonsemi
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 10 V、类型 Low Side、输出数 1 Output、限流值 15 A、导通电阻(最大值) 135 mOhms、导通时间(最大值) 44 us,采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution