NCP3712ASNT3G
ON Semiconductor
主要参数包括输出电流 - 300 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、耗散功率(Pd) 300 mW,采用 SC-74-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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ON Semiconductor
主要参数包括输出电流 - 300 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、耗散功率(Pd) 300 mW,采用 SC-74-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversON Semiconductor
该型号为集成电路,主要参数包括认证等级 AEC-Q100。
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