NCP3420DR2G
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 4.6 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| NCP3420MNR2G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
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NCP3420DR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 4.6 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers