NB4N11MDTR2G
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.6 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NB4N11MDTG | onsemi |
| 2019-04-17 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NB4N11MDTR2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、最大输入频率 2.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
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