NB3N121KMNR2G
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 400 MHz、传播延迟（最大值） 950 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 500 mA，采用 QFN-52 封装。
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芯片技术资料
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