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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NB100ELT23LDR2Gonsemi
  • NB100ELT23LDTR2G
2021-10-01查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

NB100ELT23LDTR2G

ON Semiconductor

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 LVPECL to LVTTL、逻辑类型 Translator、传播延迟时间 2.95 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Translation - Voltage Levels
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NB100ELT23LDTR2G

onsemi

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 LVPECL to LVTTL、逻辑类型 Translator、传播延迟时间 2.95 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Logic ICs > Translation - Voltage Levels
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