MY82
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer搜索结果
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芯片技术资料
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MY82C
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerZMY82
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZMY82-GS08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82.5 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.105 %/C、稳压管电流 8 mA、稳压管阻抗（Zz） 160 Ω，采用 DO-213AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZMY82-GS18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82.5 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.105 %/C、稳压管电流 8 mA、稳压管阻抗（Zz） 160 Ω，采用 DO-213AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes