MX2N5115UB
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
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MX2N5115UB/TR
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 800 mV、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 6 V、栅源电压为零时的漏源电流 - 60 mA，采用 UB-4 封装。
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