MUR2X120A12
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 240 A、配置 Dual Parallel、正向电压（Vf） 2.35 V、最大浪涌电流 2100 A，采用 SOT-227 封装。
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