MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SC-88-6 封装。
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MUN5314DW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN, PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000219 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingSMUN5314DW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000219 oz，采用 SOT-363-6 封装。
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