MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。
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MUN5230DW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 3、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSMUN5230DW1T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000219 oz。
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