MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。
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该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-88-6 封装。
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ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。
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onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 8、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-363-6 封装。
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