MUN5114T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJX4006RTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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MUN5114T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSMUN5114T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-70 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSMUN5114T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.21、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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