MUN5113T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SC-70/SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SMUN5113T1G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SC-70/SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased