MUN2240T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SC-59-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| DTC144TT1G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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MUN2240T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SC-59-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSMUN2240T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSMUN2240T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000389 oz。
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