MT53B128M32D1Z00NWC2
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 Die 封装。
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MT53B128M32D1Z00NWC2 AT
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 40 C，采用 Die 封装。
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