MT40A512M8Z90BWC1
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8,采用 Die 封装。
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Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8,采用 Die 封装。
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