MT29F4G08ABBFAM70A3WC1
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 Die 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > NAND Flash搜索结果
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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