MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。
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MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
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