MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
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MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > NAND Flash