MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C,采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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Micron
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C,采用 Die 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash