MT29F128G08CBCEBL05B3WC1
Micron
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
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MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M
Micron
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 16 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > NAND FlashMT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES
Micron
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。
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