MSRTA300100D
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Standard Recovery、反向电压(Vr) 1 kV、正向电流(If) 300 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 Three Tower Iso 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode Modules技术资料参考
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GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Standard Recovery、反向电压(Vr) 1 kV、正向电流(If) 300 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 Three Tower Iso 封装。
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