MSCSM120XM50CTYZBNMG
Microchip Technology
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 3-Phase Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压（Vf） 1.5 V、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C，采用 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm 封装。
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