MSC750SMA170B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
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MSC750SMA170B4
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-247-4 封装。
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