MSC180SMA120S
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、漏源导通电阻（Rds On） 180 mOhms、组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 美国，采用 D3PAK-3 (TO-268-3) 封装。
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MSC180SMA120SA
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC180SMA120SCT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 22 A，采用 PSMT-16 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC180SMA120SCT/RM
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 20 A，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC180SMA120SDT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 21 A、漏源导通电阻（Rds On） 225 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC180SMA120SDT/RM
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 21 A，采用 TO-263-7 封装。
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