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MRF8S9200NR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 920~960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 70 V、增益 19.5 dB、输出功率 58 W,采用 OM-780-2 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors
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MRF8S9200NR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 920~960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 70 V、增益 19.5 dB、输出功率 58 W,采用 OM-780-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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