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MRF6VP3091NBR5

NXP / Freescale

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 470~860 MHz、技术 Si、漏源击穿电压(Vds) 115 V、增益 24 dB、输出功率 90 W、最大工作温度 + 125 C,采用 TO-272 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors
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MRF6VP3091NBR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 470~860 MHz、技术 Si、漏源击穿电压(Vds) 115 V、增益 24 dB、输出功率 90 W、最大工作温度 + 125 C,采用 TO-272 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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