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3 条型号记录

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MACOM

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V、增益 17 dB，采用 221-11-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors

MACOM

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors

MACOM

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 221-11-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors