MRF141
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、最小工作温度 - 65 C，采用 221-11-3 封装。
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MRF141G
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsMRF141G
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 12 dB，采用 375-04 封装。
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