MRF137
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MRF137
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 13 dB，采用 211-07-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsMRF13750H-1300
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF13750H-915MHZ
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF13750HR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsMRF13750HSR5
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230S-4S 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors