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9 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MPSA63

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92 封装。

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MPSA63 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

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MPSA63 APP PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

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MPSA63 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

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MPSA63 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。

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MPSA63 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、最大集电极截止电流 100 nA，采用 TO-92-3 封装。

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MPSA63 TRA PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

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MPSA63 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

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MPSA63 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管。

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