MPSA26
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、最大集电极截止电流 0.1 uA，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MPSA26 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA26 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA26 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国、单件重量 0.007266 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA26 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA26 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors